Examen de Tecnología Electrónica. Segunda oportunidad 08/07/2021
TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA
Grado en Ingeniería Informática – Departamento de Ingeniería de Computadores
2da Oportunidad, 08/07/2021.
ENUNCIADOS CON RESPUESTAS
LEER DETENIDAMENTE: NORMAS PARA LA REALIZACIÓN DEL EXAMEN
1. Completar apellidos y nombre EN MAYÚSCULAS junto con el número de identificación (NIF, Pasaporte, etc.) en EL FOLIO
CORRESPONDIENTE A LAS RESPUESTAS.
2. Para la realización del examen se permiten únicamente útiles de escritura (incluyendo lápiz) y calculadora simple no programable. No se
podrá utilizar móvil.
3. Cada pregunta debe responderse SOLAMENTE en los cuadros indicados para el valor (con dos decimales) y la correspondiente unidad
(elegir la unidad más conveniente usando dos decimales significativos; por ejemplo, 10.53 mA en lugar de 0.01 A).
4. Se entregará el FOLIO DE RESPUESTAS según las indicaciones del profesor. Los cálculos en borrador NO SE ENTREGARÁN, ni podrán
utilizarse para cambiar la nota o como justificantes de reclamos. No se admitirán folios adicionales.
5. Tiempo de realización del examen: 2 horas. Si finaliza el tiempo de ejecución, el alumno deberá permanecer en su asiento hasta recibir
instrucciones del profesor.
6. Al completar los ejercicios, el alumno deberá levantar la mano y esperar instrucciones del profesor.
7. PUNTUACIONES: 1 punto por cada respuesta correcta (en las tablas de verdad, 0.5 puntos por cada fila completa correcta, 0 puntos en
caso contrario). Una unidad incorrecta de un valor correcto penaliza -0.2 puntos.
1.- Tema 4: PMOS
Dado el transistor Q de la figura, con k = 1 mA/V2y |VT| = 2 V, calcula:
Dado o transistor Q da figura, con k = 1 mA/V2 e |VT| = 2 V, calcula:
RD = 2 kW
5 V
Q
Vo
Vi
a) Valor de Vo si VSG = 1 V. || Valor de Vo se VSG = 1 V. [0 V]
b) Valor de VSD si Vi = 1 V. | | Valor de VSD se Vi = 1 V. [1 V]
c) Valor de VSG si VGD = 0 V. || Valor de VSG se VGD = 0 V. [ 3 V]
d) Nuevo valor de RD para que Q esté en el límite entre óhmica y saturación para Vi = 1 V. || Novo valor de RD para
que Q estea no límite entre óhmica e saturación para Vi = 1 V. [0.75 kΩ= 750 Ω]
Vista previa
del documento.
Mostrando 3 páginas de 6
TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA
Grado en Ingeniería Informática – Departamento de Ingeniería de Computadores
2da Oportunidad, 08/07/2021.
ENUNCIADOS CON RESPUESTAS
LEER DETENIDAMENTE: NORMAS PARA LA REALIZACIÓN DEL EXAMEN
1. Completar apellidos y nombre EN MAYÚSCULAS junto con el número de identificación (NIF, Pasaporte, etc.) en EL FOLIO
CORRESPONDIENTE A LAS RESPUESTAS.
2. Para la realización del examen se permiten únicamente útiles de escritura (incluyendo lápiz) y calculadora simple no programable. No se
podrá utilizar móvil.
3. Cada pregunta debe responderse SOLAMENTE en los cuadros indicados para el valor (con dos decimales) y la correspondiente unidad
(elegir la unidad más conveniente usando dos decimales significativos; por ejemplo, 10.53 mA en lugar de 0.01 A).
4. Se entregará el FOLIO DE RESPUESTAS según las indicaciones del profesor. Los cálculos en borrador NO SE ENTREGARÁN, ni podrán
utilizarse para cambiar la nota o como justificantes de reclamos. No se admitirán folios adicionales.
5. Tiempo de realización del examen: 2 horas. Si finaliza el tiempo de ejecución, el alumno deberá permanecer en su asiento hasta recibir
instrucciones del profesor.
6. Al completar los ejercicios, el alumno deberá levantar la mano y esperar instrucciones del profesor.
7. PUNTUACIONES: 1 punto por cada respuesta correcta (en las tablas de verdad, 0.5 puntos por cada fila completa correcta, 0 puntos en
caso contrario). Una unidad incorrecta de un valor correcto penaliza -0.2 puntos.
1.- Tema 4: PMOS
Dado el transistor Q de la figura, con k = 1 mA/V2y |VT| = 2 V, calcula:
Dado o transistor Q da figura, con k = 1 mA/V2 e |VT| = 2 V, calcula:
RD = 2 kW
5 V
Q
Vo
Vi
a) Valor de Vo si VSG = 1 V. || Valor de Vo se VSG = 1 V. [0 V]
b) Valor de VSD si Vi = 1 V. | | Valor de VSD se Vi = 1 V. [1 V]
c) Valor de VSG si VGD = 0 V. || Valor de VSG se VGD = 0 V. [ 3 V]
d) Nuevo valor de RD para que Q esté en el límite entre óhmica y saturación para Vi = 1 V. || Novo valor de RD para
que Q estea no límite entre óhmica e saturación para Vi = 1 V. [0.75 kΩ= 750 Ω]
Vista previa
del documento.
Mostrando 3 páginas de 6
Exame de Tecnoloxía Electrónica. Segunda oportunidade 08/07/2021
2.- Tema 4: NMOS.
En el circuito de la figura, sabiendo que k = 2 mA/V2 y VT = 1 V, calcula:
No circuíto da figura, sabendo que k = 2 mA/V2 e VT = 1 V, calcula
Q
Vo
6 V
5 V
R
1 kW
1 kW
a) Valor de R que sitúa al transistor entre corte y conducción. || Valor de R que sitúa ao transistor entre
corte e condución. [5 kΩ]
b) Valor de R si Vo = 1 V. || Valor de R se Vo = 1 V. [1 kΩ]
Si se añade una resistencia RS, || Se se engade una resistencia RS,
Q
Vo
6 V
5 V
R
1 kW
1 kW
1 kW
calcular:
c) Valor de R que sitúa al transistor entre óhmica y saturación. || Valor de R que sitúa ao transistor entre
óhmica e saturación. [0.5 kΩ]
d) Valor de Vo si R = 2 kΩ. || Valor de Vo se R = 2 kΩ. [4.5 V]
Vista previa
del documento.
Mostrando 3 páginas de 6
2.- Tema 4: NMOS.
En el circuito de la figura, sabiendo que k = 2 mA/V2 y VT = 1 V, calcula:
No circuíto da figura, sabendo que k = 2 mA/V2 e VT = 1 V, calcula
Q
Vo
6 V
5 V
R
1 kW
1 kW
a) Valor de R que sitúa al transistor entre corte y conducción. || Valor de R que sitúa ao transistor entre
corte e condución. [5 kΩ]
b) Valor de R si Vo = 1 V. || Valor de R se Vo = 1 V. [1 kΩ]
Si se añade una resistencia RS, || Se se engade una resistencia RS,
Q
Vo
6 V
5 V
R
1 kW
1 kW
1 kW
calcular:
c) Valor de R que sitúa al transistor entre óhmica y saturación. || Valor de R que sitúa ao transistor entre
óhmica e saturación. [0.5 kΩ]
d) Valor de Vo si R = 2 kΩ. || Valor de Vo se R = 2 kΩ. [4.5 V]
Vista previa
del documento.
Mostrando 3 páginas de 6